[发明专利]用于形成混合基板的结构和方法

摘要

第一基板和第二基板结合在一起从而形成单一混合基板。去除第一基板的预定部分以在第一基板中形成开口，通过该开口来暴露第二基板的表面区域。实施相对于第一基板和第二基板的晶体取向为选择性的选择性外延生长工艺，从而从第二基板的暴露表面而不是从第一基板的暴露表面形成外延硅。从第二基板的暴露表面形成的外延硅具有与第二基板相同的晶体取向。

主权项

一种用于形成混合基板的方法，包括：提供具有不同晶体取向的第一基板和第二基板；将所述第一基板和第二基板结合在一起从而形成单一混合基板；去除所述第一基板的预定部分，以在所述第一基板中形成开口，通过所述开口来暴露所述第二基板的表面区域；以及实施相对于所述第一基板和第二基板的所述晶体取向为选择性的选择性外延生长工艺，从而从所述第二基板的暴露表面而不是从所述第一基板的暴露表面形成外延硅，其中，从所述第二基板的暴露表面形成的所述外延硅具有与所述第二基板相同的晶体取向。