[发明专利]用于大规模制造半导体材料的原位反应室清洁处理方法

摘要

本发明涉及半导体加工设备和方法的领域，并且特别提供了例如反应室壁上和其它位置等反应室内部的不良沉积物的原位去除方法和设备。根据本发明的方法，将清洁步骤纳入并结合于高通量生长工序中。优选的是，何时暂停生长并启动清洁、何时终止清洁并恢复生长的时间基于传感器的输入值自动确定。本发明还提供了用于高效执行本发明的结合的清洁/生长方法的反应室系统。

主权项

一种在半导体材料生产用反应室内控制半导体材料不良沉积物的方法，所述方法包括：在基片上生产半导体材料；和通过原位清洁工序以如下任一种方式去除所述反应室内的不良沉积物：(a)重复进行生产和去除工序，从而在所述基片上提供选定量的半导体材料，同时将所述反应室内的不良沉积物的量维持在可接受的范围内；或(b)使所述反应室内部与一种或多于一种的清洁气体接触，所述清洁气体与所述不良沉积物反应而形成气态反应产物；自动检测所述气态反应产物的水平；并在所述反应室中持续进行气体接触，直至经自动检测的所述气态反应产物水平表明所述不良沉积物的量处于可接受的范围内。