[发明专利]蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液有效
| 申请号： | 200880121508.X | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101903988A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 松田修;菊池信之;林田一良;白旗里志 | 申请（专利权）人： | 和光纯药工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/38;C23F1/44 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或钨(W)系金属膜进行蚀刻的半导体基板用蚀刻剂，其由含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢、(B)具有羟基的膦酸系螯合剂、(C)碱性化合物、(D-1)铜防蚀剂、0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 制备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板用蚀刻剂，其由至少含有下述(A)、(B)和(C)、以及(D-1)和/或(D-2)的溶液构成：(A)过氧化氢；(B)具有羟基的膦酸系螯合剂；(C)碱性化合物；(D-1)铜防蚀剂；0.01重量％～3重量％的(D-2)具有羟基的膦酸系螯合剂以外的不具有氧化力的2种以上的阴离子种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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