[发明专利]用于制造大面积真空等离子体处理的基板的方法以及真空等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200880121597.8 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101903971A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | S·约斯特;A·贝林格 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;王忠忠 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 大表面基板(5、5a)是在包括偶数个电极带(9a，％)的电极布置(9)的帮助下进行Rf真空等离子体处理的。至少一个带是在沿着所讨论的带(9a)的中心轴(A)的至少两个不同位点(P1、P2)处进行Rf供给的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 大面积 真空 等离子体 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制造真空等离子体处理的基板的方法，包括：●将要被处理的至少1m2基板表面在真空容器中暴露于基本上成平面且间隔的电极图案，所述电极图案包括偶数个平行的、相互间隔的基本等长的电极带；●将Rf等离子体放电能量在沿着所述至少一个带的长度轴的至少两个不同位点处供给至至少一个所述带；●通过利用所述电极图案建立的等离子体来处理所述基板。
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