[发明专利]用于流量传感器的MEMS结构有效

专利信息
申请号: 200880121779.5 申请日: 2008-12-09
公开(公告)号: CN101903752A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: J·W·斯佩尔德里奇 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01F1/68 分类号: G01F1/68;G01F1/58;B81B7/00;B81B3/00;G01F1/05
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;李家麟
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了一种基于MEMS的流量传感器,其通常在感测结构和所感测媒介之间采用了隔离。通过将具有流开口的衬垫结构附接到感测结构的背部来构造内部流通道。感测结构可包括具有加热元件和双感测元件的绝缘层,其包含电阻薄膜,该电阻薄膜定位在背部腔上的惠斯登电桥结构中。通过引导流体通过内部流通道而可使双感测元件和它的相关线接合部与感测媒介隔离。完整感测结构可以用例如环氧树脂和密封的标准工艺来过封装。
搜索关键词: 用于 流量传感器 mems 结构
【主权项】:
一种MEMS流量传感器,包含:衬垫结构,具有供形成的流体流通过其的两个开口;感测结构,包括在具有背部腔的基底上的电绝缘顶部层,包括设置在所述电绝缘顶部层上的加热元件和双感测元件,所述顶部层还包括多个电阻薄膜,其中所述双感测元件测量流体流;以及流通道,通过将所述感测结构接合到所述衬垫结构来形成,其中为了将多个线接合部和所述双感测元件与所述流通道隔离,引导所述流体流通过所述流通道。
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