[发明专利]抗单元源极IR降的源电势调整

摘要

给出了用于应对作为由非易失性存储器的读/写电路的地环路中的非零电阻引入的误差的可能的源极线偏压的技术。该误差由当电流流动时在到芯片的地的源极路径的电阻两端的电压降引起。为此目的，存储器器件包括源极电势调整电路，该源极电势调整电路包括具有连接到参考电压的第一输入并具有被连接为反馈环路的第二输入的有源电路元件，该反馈环路可连接到集体节点，结构块的存储器单元使得其电流从该集体节点流到地。变型包括可连接在集体节点和地之间的非线性电阻元件。

主权项

一种具有要被并行感测的存储器单元的各个页的非易失性存储器器件，在该非易失性存储器器件中；每个存储器单元具有源极、漏极、电荷存储单元和用于控制沿着所述漏极和源极的导电电流的控制栅极，所述存储器器件包括：页源极线，可连接到一页中的每个存储器单元的源极；集体节点，耦接到结构块的各个页源极线；源极隔离开关，经由所述集体节点耦接到所选页的页源极线，用于存储器操作；以及源极电势调整电路，包括具有连接到第一参考电压的第一输入并具有被连接为可连接到所述集体节点的反馈环路的第二输入的有源电路元件。