[发明专利]光电转换元件制造装置和方法、以及光电转换元件

摘要

本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。

主权项

一种光电转换元件制造装置，所述装置是在衬底上通过微波等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置，所述光电转换元件制造装置的特征在于，包括：腔室，所述腔室是密闭空间，并且所述腔室中内置有载放衬底的基座，所述衬底是要形成薄膜的对象；第一气体供应部，其对所述腔室内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部，其调整所述腔室内的压力；第二气体供应部，其对所述腔室内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部，其将微波导入到所述腔室内；以及偏置电压施加部，根据所述气体种类来选择衬底偏置电压并将其施加给所述衬底。