[发明专利]包含等离子体处理活化步骤的制造聚合物层压材料的方法

摘要

本发明涉及制造包含通过至少一层水性型粘合性聚合物材料(C)彼此接合的至少两个聚合物层-层(A)和层(B)的层压材料的方法，其特征在于其包含：(a)任选预清洁基底层(A)和/或基底层(B)的步骤，为通过氧化或还原性连续常压冷等离子体处理预清洁的形式；(b)通过基底层(A)和/或基底层(B)的连续常压冷等离子体处理活化的步骤，所述等离子体：(i)在所述层由其肖氏D硬度严格地为35至60的聚合物制成的情况下或在所述层由其肖氏D硬度＞或＝60的聚合物制成且等离子体源与要活化的层的表面之间的距离＜或＝3cm的情况下，是氧化或还原性的；或(ii)在所述层由其肖氏D硬度＞或＝60的聚合物制成且等离子体源与要活化的所述层的表面之间的距离＞3cm的情况下，是还原性的；基底层(A)和(B)可以是相同或不同，基底层(A)和(B)由非渗出性聚合物制成。

主权项

制造包含通过至少一层水性型粘合性聚合物材料(C)彼此接合的至少两个聚合物层 层(A)和层(B)的层压材料的方法，其特征在于其包含：(a)任选预清洁基底层(A)和/或基底层(B)的步骤，为通过氧化或还原性连续常压冷等离子体处理的预清洁的形式；(b)通过基底层(A)和/或基底层(B)的连续常压冷等离子体处理的活化步骤，所述等离子体：(i)在所述层是由其肖氏D硬度严格地为35至60的聚合物制成的情况下或在所述层是由其肖氏D硬度＞或＝60的聚合物制成且等离子体源与要活化的层的表面之间的距离＜或＝3cm的情况下，是氧化或还原性的；(ii)在所述层是由其肖氏D硬度＞或＝60的聚合物制成且等离子体源与要活化的所述层的表面之间的距离＞3cm的情况下，是还原性的；(c)任选地，使用水性底漆对基底层(A)和/或基底层(B)的涂粘合剂步骤；(d)使用水性型粘合性聚合物材料(C)对所述基底层(A)和/或所述基底层(B)的涂粘合剂步骤；(e)使基底层(A)和(B)粘着的步骤；(f)在潮湿气氛中压制(e)中获得的组装件以形成层压材料的步骤，基底层(A)包含一种或多种聚合物，其中添加或不添加至少一种填料，所述一种或多种聚合物选自聚酰胺、热塑性弹性体(TPE)和它们的共混物，基底层(A)和(B)可以是相同或不同的，基底层(A)和(B)用非渗出性聚合物制成。