[发明专利]具有过压保护的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 200880122542.9 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101904006A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 约尔格·埃里希·佐尔格;斯特凡·格鲁贝尔;乔治·伯格纳 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L25/16;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;许伟群 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出了一种发光二极管芯片，其具有用于防止过压的装置，缩写为ESD防护装置(2)。ESD防护装置(2)集成在支承体(3)中，在该支承体上存在发光二极管芯片的半导体层序列(1)，并且该ESD防护装置基于支承体(3)的确定区域的特定的掺杂。ESD防护装置(2)例如构建为齐纳二极管，其借助电导体结构(5)与半导体层序列(1)相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其具有：半导体层序列(1)，该半导体层序列位于支承体(3)上；以及ESD防护装置(2)，其保护发光二极管芯片免受过压影响，其中ESD防护装置(2)通过对支承体(3)的确定区域的掺杂来产生。
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