[发明专利]成膜装置及成膜方法有效

专利信息
申请号: 200880122797.5 申请日: 2008-12-12
公开(公告)号: CN101910453A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 林信博;小林洋介;齐藤隆雄;饭岛正行;多田勋 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C16/44;C23C16/50;H01L21/285
代理公司: 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 代理人: 韩登营
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种成膜装置及成膜方法,以实现缩短在冷凝负荷较大时的排气系统的排气时间,从而提高生产性。为达到上述目的,本发明的对多个基材同时进行成膜处理的成膜装置包括:支承单元(50),其具有支承部(55),该支承部(55)对多个基材(2)进行支承,使其位于旋转轴的周围且可自由旋转;真空腔(10),其具有处理室(14),该处理室收装上述支承单元,且该支承单元可在该处理室中自由旋转;成膜源(57、60),其配置在上述真空腔(10)的内部;低温排气部(21),其具有低温冷凝源,该低温冷凝源配置在上述真空腔(10)的上表面且与上部支承部件(52)相对;以及辅泵(22)。
搜索关键词: 装置 方法
【主权项】:
一种成膜装置,用于对多个基材同时进行成膜处理,其特征在于,包括:支承单元,其具有旋转轴与支承部,该支承部,支承上述多个基材,使该多个基材位于旋转轴的周围且可自由旋转;真空腔,其具有处理室,该处理室收装上述支承单元,且该支承单元可在该处理室中以上述旋转轴为中心自由旋转;成膜源,其配置在上述真空腔的内部;低温排气部,其具有低温冷凝源,该低温冷凝源配置在上述真空腔的上表面。
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