[发明专利]含镍的膜的形成材料和其制造方法无效
申请号: | 200880122880.2 | 申请日: | 2008-12-16 |
公开(公告)号: | CN101910457A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 广俊孝;小林孝充 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C23C16/42 | 分类号: | C23C16/42;H01L21/28;H01L21/285 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明的目的在于,提供一种用于含镍的膜的形成材料,其熔点低,可以以液体形式使用,且具有较高的蒸气压,进而工业上容易合成,较稳定,在使用CVD法来形成含镍的膜、优选硅化镍膜时容易形成良好的膜。本发明的含镍的膜的形成材料,其特征在于,含有下述式(1)的结构式所示的化合物。其中,R1和R2各自独立地是氢原子、或下述式(2)的结构式所示的基团,此外,a和b分别为0~4的整数,除了R1和R2均表示氢的情况以外,a和b满足0<a+b≤4。其中,R3、R4和R5各自独立地是碳原子数为1~2的烷基。 |
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搜索关键词: | 形成 材料 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种含镍的膜的形成材料,其特征在于,含有下述式(1)的结构式所示的化合物,Ni(R1aC6H(5-a))(R2bC5H(5-b))···(1)式(1)中,C5H(5-a)和C5H(5-b)表示环戊二烯基环,R1和R2各自独立地是氢原子、或下述式(2)的结构式所示的基团,此外,a和b分别为0~4的整数,除了R1和R2均表示氢的情况以外,a和b满足0<a+b≤4,
式(2)中,R3、R4和R5各自独立地是碳原子数为1~2的烷基。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的