[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 200880122883.6 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101911205A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 岩田佳久 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件，包括：基元阵列，其具有以矩阵状设置的多个存储器基元，每一个存储器基元包括可变电阻器，所述可变电阻器的电阻可逆地变化以存储与所述可变电阻器的电阻对应的数据；选择电路，其操作为从所述基元阵列选择存储器基元；以及写入电路，操作为对由所述选择电路选择的所述存储器基元执行特定的电压或电流供给，以使在所述选择的存储器基元中的可变电阻器的电阻变化，从而擦除或写入数据。当在所述选择的存储器基元中流动的电流达到在所述数据擦除或写入之后出现的特定水平时，所述写入电路根据在所述选择的存储器基元中的所述可变电阻器的电阻变化状况来终止对所述选择的存储器基元的所述电压或电流供给。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器件，包括：基元阵列，其具有以矩阵状设置的多个存储器基元，所述每一个存储器基元包括可变电阻器，所述可变电阻器的电阻响应于特定的电压或电流供给而可逆地变化以存储与所述可变电阻器的电阻对应的数据；选择电路，其操作为从所述基元阵列选择将被擦除或写入数据的存储器基元；以及写入电路，其操作为对由所述选择电路选择的所述存储器基元执行特定的电压或电流供给，以使在所述选择的存储器基元中的可变电阻器的电阻变化，从而擦除或写入数据，其中当在所述选择的存储器基元中流动的电流达到在所述数据擦除或写入之后出现的特定水平时，所述写入电路根据在所述选择的存储器基元中的所述可变电阻器的电阻变化状况来终止对所述选择的存储器基元的所述电压或电流供给。
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