[发明专利]辐射发射体及制造辐射发射体的方法有效

专利信息
申请号: 200880122953.8 申请日: 2008-12-19
公开(公告)号: CN101911319A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: F·埃伯哈德;R·温迪希;R·沃尔特;M·施马尔;M·阿尔斯泰特 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;李家麟
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种辐射发射体,包括层序列,该层序列具有用于生成电磁辐射的活性层(10),具有反射所生成辐射的反射层(50)和具有至少一个布置在活性层(10)和反射层(50)之间的中间层(40)。在此活性层(10)在朝向反射层(50)的界面(15)上具有不平整结构,并且反射层(50)在朝向活性层(10)的界面(45)上是基本上平坦的。本发明还涉及一种用于制造辐射发射体的方法,其中在衬底上构造具有用于生成电磁辐射的活性层(10)的层序列。在此使活性层(10)的界面(15)不平整,并且构造至少一个中间层(40)和反射层(50)。
搜索关键词: 辐射 发射 制造 方法
【主权项】:
一种辐射发射体,包括 层序列, 具有用于生成电磁辐射的活性层(10), 具有反射所生成的辐射的反射层(50),和 具有至少一个布置在所述活性层(10)和所述反射层(50)之间的中间层(40),其中所述活性层(10)在朝向反射层(50)的界面(15)上具有不平整结构,并且所述反射层(50)在朝向活性层(10)的界面(45)处基本上是平坦的。
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