[发明专利]抗蚀剂处理方法

摘要

本发明的目的在于提供一种抗蚀剂处理方法，其中，在双图形法等多重图形法中，极微细且精度良好地形成通过第一次抗蚀剂图形形成用的抗蚀剂组合物而得到的图形。本发明为一种抗蚀剂处理方法，其中，包括：将含有树脂(A)、光酸产生剂(B)以及交联剂(C)的第1抗蚀剂组合物涂布到基体上并进行干燥而得到第1抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第1抗蚀剂图形、并对其进行硬烘焙，在其上涂布第2抗蚀剂组合物并进行干燥而得到第2抗蚀剂膜、对其进行预烘焙、曝光处理、曝光后烘焙、显影而得到第2抗蚀剂图形的工序，其中，所述树脂(A)具有对酸不稳定的基团，在碱水溶液中不溶或难溶，可与酸作用后溶解。

主权项

一种抗蚀剂处理方法，其中，包括：(1)将含有树脂(A)、光酸产生剂(B)以及交联剂(C)的第1抗蚀剂组合物涂布到基体上并进行干燥而得到第1抗蚀剂膜的工序，其中，所述树脂(A)具有对酸不稳定的基团，在碱水溶液中不溶或难溶，可与酸作用而在碱水溶液中溶解；(2)对第1抗蚀剂膜进行预烘焙的工序；(3)对第1抗蚀剂膜进行曝光处理的工序；(4)对第1抗蚀剂膜进行曝光后烘焙的工序；(5)用第1碱显影液进行显影而得到第1抗蚀剂图形的工序；(6)对第1抗蚀剂图形进行硬烘焙的工序；(7)在第1抗蚀剂图形上涂布第2抗蚀剂组合物并进行干燥而得到第2抗蚀剂膜的工序；(8)对第2抗蚀剂膜进行预烘焙的工序；(9)对第2抗蚀剂膜进行曝光处理的工序；(10)对第2抗蚀剂膜进行曝光后烘焙的工序；和(11)用第2碱显影液进行显影而得到第2抗蚀剂图形的工序。