[发明专利]采用选择性制作的碳纳米管可逆电阻切换元件的存储单元及其形成方法有效
| 申请号： | 200880123685.1 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101919047A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 马克·克拉克;布拉德·赫纳;阿普里尔·施里克 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一些方面，提供了一种制作存储单元的方法，其包括(1)在基底上制作控制元件；(2)通过在基底上选择性制作碳纳米管(CNT)材料，来制作耦接到控制元件的可逆电阻切换元件。提供了许多其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 选择性 制作 纳米 可逆 电阻 切换 元件 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种制作存储单元的方法，包括：在基底上制作控制元件；以及通过在所述基底上选择性地制作碳纳米管(CNT)材料，来制作耦接到所述控制元件的可逆电阻切换元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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