[发明专利]蚀刻高纵横比接触的方法有效
| 申请号： | 200880123894.6 | 申请日： | 2008-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101911263A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 拉塞尔·A·本森;特德·泰勒;马克·基尔鲍赫 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于在电介质层中蚀刻接触开口的方法和蚀刻气体组合物。所述方法的实施例使用从蚀刻气体产生的等离子体，所述蚀刻气体由C4F8和/或C4F6、氧源和载气结合四氟乙烷(C2F4)或C2F4的卤代氟碳化合物类似物构成。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 纵横 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种在电介质层中蚀刻开口的方法，其包含：从C4F6、C4F8或C4F6与C4F8的混合物、氧源气体、惰性气体和C2F4形成等离子体蚀刻气体；以及以所述等离子体蚀刻气体穿过所述电介质层蚀刻所述开口到达下伏衬底，其中在所述蚀刻期间沿所述开口的侧壁维持保形聚合物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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