[发明专利]具有低导通电阻的MOS器件有效
| 申请号： | 200880124088.0 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101911301A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯;塞哈特·苏塔迪嘉 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武;南霆 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 金属氧化物半导体(MOS)器件包括：漏极区，环绕所述漏极区并在所述漏极区周围形成环的栅极区，布置在所述栅极区周围的多个源极区，其中每个源极区位于所述漏极区对应侧的对面，以及布置在所述栅极区周围的多个体区，其中所述多个源极区中的一个或更多个将所述多个体区中的一个或更多个从所述栅极区分离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：漏极区；栅极区，所述栅极区环绕所述漏极区并在所述漏极区周围形成环；多个源极区，所述多个源极区布置在所述栅极区周围，其中每个源极区位于所述漏极区的对应侧的对面；以及多个体区，所述多个体区布置在所述栅极区周围，其中所述多个源极区中的一个或更多个将所述多个体区中的一个或更多个从所述栅极区分离。
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