[发明专利]用于等离子体室的电极的非对称性射频驱动装置

摘要

RF功率耦合至等离子体室的电极上的一个或多个RF驱动点，使得耦合至电极的较靠近该工件通道的半部上的RF功率值超过耦合至该电极的另一半部上多个RF驱动点(如果有的话)的RF功率值。或者，RF功率耦合至等离子体室的电极上一个或多个RF驱动点，使得这些驱动点位置的加权平均在该电极中心与该工件通道之间。该加权平均是利用耦合至该驱动点位置的RF功率的时间平均值来加权每个驱动点位置所计算而得。本发明抵消掉在邻近电极最靠近通道的末端处的等离子体密度的增加，否则在邻近电极最靠近通道的末端处将存在等离子体密度增加的现象。

主权项

一种耦合RF功率至等离子体室的装置，该装置包含：等离子体室，其具有工件通道；电极，其设置成将来自该电极的电功率耦合到该离子体室内的等离子体，其中该电极的第一半部比该电极的第二半部更靠近该工件通道；以及一个或多个RF电源，其连接以供应RF功率到该电极；其中该一个或多个RF电源一起供应第一时间平均值的RF功率给该电极的第一半部，以及供应第二时间平均值的RF功率给该电极的第二半部；其中该第二时间平均值的RF功率大于或等于零；并且其中该第一时间平均值的RF功率大于该第二时间平均值的RF功率。