[发明专利]等离子体处理设备无效
申请号: | 200880124530.X | 申请日: | 2008-12-19 |
公开(公告)号: | CN101910460A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 岸本克史;福冈裕介 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/205;H05H1/46 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供等离子体处理设备,该等离子体处理设备即使当两个电极的面积增加时也能均匀地将气体供应到阴极电极和阳极电极之间的空间,并且能够减小两个电极的厚度。两对阳极电极(4)和阴极电极(12)在等离子体处理设备(100)的腔(15)中布置为彼此相对。阴极电极(12)具有喷淋板(2)、后板(3)和中空室(17)。喷淋板(2)设置有第一喷气孔(18),用于将引入中空腔(17)的气体喷到两个电极(12,4)之间的空间。用于从外部引入气体的进气口(31)布置在后板(3)的下表面(面对喷淋板(2)的中空腔(17)内壁(19))的电极端面上。用于将气体喷到中空腔(17)的第二喷气孔(32)以及用于将气体从进气口(31)引导到第二喷气孔(32)的气体引导部分(33)设置在中空室的内壁(19)上。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理设备,包括:用于等离子体反应的反应腔;排气部分,用于将气体从所述反应腔排出;以及平板状的阴极电极和平板状的阳极电极,布置在所述反应腔中并彼此相对,其中所述阴极电极和所述阳极电极在其相对方向上布置有多组,每个所述阴极电极包括设置在其中的中空室以及喷淋板,所述喷淋板设置有用于将引入到所述中空室的气体从所述中空室喷到所述阴极电极和所述阳极电极之间的部分的多个第一喷气孔,用于将气体从所述阴极电极的外部引入的进气口设置在所述中空室的与所述阴极电极的所述喷淋板相对的内壁的电极端面处,并且用于将气体喷到所述中空室的多个第二喷气孔和用于将气体从所述进气口引导到所述第二喷气孔的气体引导部分设置在所述中空室的与所述喷淋板相对的所述内壁处。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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