[发明专利]对包含锗和锑的材料的金属催化选择性沉积有效
| 申请号： | 200880124687.2 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101910467A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | S·古哈;F·R·麦克菲力;J·J·于卡斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | C23C30/00 | 分类号： | C23C30/00;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/18;C23C16/455;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于在衬底表面上选择性沉积GeSb材料的化学气相沉积(CVD)方法，其中使用能够与锗形成共晶合金的金属来催化所述GeSb材料的生长。还提供一种结构，其包括位于衬底的预选区域上的GeSb材料。根据本发明，所述GeSb材料被夹在用于催化GeSb的生长的下金属层与在所述GeSb材料的生长期间形成的上表面金属层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 材料 金属 催化 选择性 沉积 | ||
【主权项】：
一种选择性地沉积包含锗和锑的材料(20)的方法，包括以下步骤：将衬底放置在化学气相沉积反应腔(52)中，所述衬底包括包含这样的金属的区域(14)，所述金属能够与锗形成共晶合金；将包括所述衬底的所述反应腔(52)抽空到小于0.1333Pa的基础压力；将所述衬底加热到低于400℃的温度；向所述反应腔(52)提供含锑前体和含锗前体；以及从所述前体将包含锗(Ge)和锑(Sb)的材料(20)沉积到所述衬底的包含所述金属的所述区域(14)上，其中在包含锗和锑的所述材料(20)的生长期间，所述金属的表面金属层(22)漂浮在包含锗和锑的所述材料(20)的表面上。
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