[发明专利]声波元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880125279.9 申请日: 2008-11-26
公开(公告)号: CN101926090A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 冬爪敏之;西埜太郎;山崎央;荒木圣人;田村登;市川半;有贺正树 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所;株式会社小池
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145;H03H3/08
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 代理人: 齐永红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种能够充分抑制温度变化而引起的伸缩,且频率偏移小的声波元件及其制造方法。本发明的声波元件的特征在于,包括:在一个主面上形成了IDT(2)的压电基片(1);以及,形成在上述压电基片(1)的另一个主面(1b)上,由具有比上述压电基片(1)的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料构成的喷镀膜(3),其中,上述喷镀膜(3)的晶粒边界和空穴(4)中的至少一部分被填充材料(5)所填充。
搜索关键词: 声波 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种声波元件,其特征在于,包括:在一个主面上形成梳型电极的压电基片;以及,形成在所述压电基片的另一个主面上,由具有比所述压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料构成的喷镀膜;所述喷镀膜的晶粒边界以及空穴中的至少一部分被填充材料所填充。
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