[发明专利]在加速/减速系统中降低电应力的技术有效
| 申请号： | 200880125435.1 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102217043A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 卡森·泰克雷特萨迪克;罗素·J·洛 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在加速/减速系统中降低电应力的技术。在一实施例中，此技术被理解为加速/减速系统。加速/减速系统可以包括加速柱，包括多个电极，具有带电荷粒子束可穿过的孔洞。加速/减速系统也可以包括多个电压分级元件，分别电性耦接至多个电极。加速/减速系统还包括多个绝缘导体，配置于邻近多个电压分级元件，以降低多个电压分级元件周围的电场。 | ||
| 搜索关键词： | 加速 减速 系统 降低 应力 技术 | ||
【主权项】：
一种加速/减速系统，包括：加速柱，包括多个电极，具有带电荷粒子束可穿过的孔洞；多个电压分级元件，分别电性耦接至所述多个电极；以及多个绝缘导体，配置于邻近所述多个电压分级元件，以降低所述多个电压分级元件周围的电场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
