[发明专利]从光纤或玻璃渣中回收GeCl4和/或SiCl4的方法以及由富含SiO2的材料制造SiCl4的方法无效
申请号: | 200880125481.1 | 申请日: | 2008-12-01 |
公开(公告)号: | CN101925537A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 马里奥·贝热龙;阿兰·朗格莱 | 申请(专利权)人: | 国家科学研究学院 |
主分类号: | C01G17/04 | 分类号: | C01G17/04;C01B33/08 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人: | 王昭林;崔华 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | 本发明提供了一种由光纤制造含有或不含SiCl4的GeCl4的方法,该方法包括以下步骤:含有氧化锗和任选的氧化硅的碎光纤与含有固体碳还原剂、氯气和硼化物的反应物发生反应以获得包含气态GeCl4、气态SiCl4和气态BCl3的气态产物,反应式如下:2BCl3(g)+1.5GeO2=1.5GeCl4(g)+B2O3;2BCl3(g)+1.5SiO2=1.5SiCl4(g)+B2O3;B2O3+1.5C+3Cl2=2BCl3(g)+1.5CO2;然后将所述气态的GeCl4、BCl3和任选的SiCl4冷凝为液态的GeCl4、BCl3和任选的SiCl4。本发明还提供了一种由从光纤制造过程和废弃光缆获得的玻璃渣制造SiCl4(任选的GeCl4)的方法。所述方法包括以下步骤:碎玻璃渣与含有固体碳还原剂、盐、硼化物的反应物反应以获得包含BCl3、SiCl4和任选的GeCl4的气态产物;并且然后将所述气态的BCl3、SiCl4(包括或不包括GeCl4)冷凝为液态的BCl3、SiCl4和GeCl4。本发明还提供一种由含SiO2的材料制造SiCl4的方法。 | ||
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【主权项】:
一种由含有GeO2的材料制造GeCl4的方法,所述方法包括以下步骤: 将含有氧化锗的材料碎渣与包含固体碳还原剂、氯气和硼化物的反应物按照以下反应式反应以获得含有气态GeCl4和气态BCl3的气态产物:2BCl3(g)+1.5GeO2=1.5GeCl4(g)+B2O3B2O3+1.5C+3Cl2=2BCl3(g)+1.5CO2;以及 通过将气态产物的温度降低至GeCl4、SiCl4和BCl3的冷凝温度以下,使气态的GeCl4和BCl3冷凝为液态的GeCl4和BCl3。
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