[发明专利]用于DUV元件的致密均匀氟化物膜及其制备方法有效
| 申请号： | 200880125898.8 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101925837A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | M·J·康杰米;H·施赖伯;王珏 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;G02B5/28;G02B5/08;C23C14/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹;周承泽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用致密均匀氟化物膜涂覆的光学元件，还涉及制造这种涂覆的元件的方法。所述涂料是共同蒸发形成L-H涂料的涂层的高(“H”)折射率氟化物材料和低(“L”)折射率材料(L和H材料的一种共同沉积的涂层)。镧系金属(例如钕、镧、镝、钇和钆，以及它们的组合)的氟化物是用作高折射率材料的优选的金属氟化物，特别优选氟化镧(LaF3)和氟化钆(GdF3)。氟化铝(AlF3)和碱土金属氟化物(钙、镁、钡和锶的氟化物)是优选的低折射率材料，氟化镁(MgF2)是优选的碱土金属氟化物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 duv 元件 致密 均匀 氟化物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种涂覆的光学元件，所述光学元件包括基材，该基材具有至少一个均匀的共同沉积的L H层和在所述共同沉积的L H层顶上沉积的一个L层，所述L H层由沉积在所述基材上的高折射率镧系金属氟化物材料和低折射率金属氟化物材料组成，所述L层是低折射率金属氟化物材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康宁股份有限公司，未经康宁股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880125898.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制备平版印刷版的方法
- 下一篇：光学透镜图像稳定系统
