[发明专利]用于提纯半导体材料的包括等离子体焰炬的设备有效
| 申请号： | 200880125922.8 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101970351A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 帕斯卡·里瓦特;伊曼纽尔·弗拉奥;克里斯蒂安·特拉斯;弗朗索瓦·库科;艾蒂安·格罗西耶 | 申请（专利权）人： | 易孚迪感应设备有限公司;原子能与替代能源委员会;国立科学研究中心;菲赫贝姆简化股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C01B33/02;C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于提纯半导体材料(44)的设备(10)，其至少包括包含至少一种惰性气体的大气的室。该设备包括：在室中，熔炉(30)，该熔炉预要包含熔融状态的半导体材料；等离子体焰炬(40)，该等离子体焰炬预要从熔炉中熔化的半导体材料移除杂质；以及密封系统(50)，该密封系统预要在熔炉与等离子体焰炬之间限定密封容积(69)，该密封系统包括用于排出由提纯熔化的硅产生的气态化合物和/或粒子的装置(54)。该排出装置包括具有圆柱形部分(72)的至少一个吸力开口(70)，所述圆柱形部分(72)延伸到渐变进密封容积的喇叭口形部分(76)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提纯 半导体材料 包括 等离子体 设备 | ||
【主权项】：
一种用于提纯半导体材料(44)的装置(10)，该装置包括包含至少一种中性气体的大气的至少一个外壳，以及在该外壳中包括：熔炉(30)，该熔炉预要包含熔融状态的半导体材料；等离子体焰炬(40)，该等离子体焰炬预要从熔炉中熔化的半导体材料中移除杂质；以及密封系统(50)，该密封系统预要在熔炉与等离子体焰炬之间限定密封容积(69)，该密封系统包括用于排出由提纯熔化的硅产生的气态化合物和/或粒子的系统(54)，其特征在于：排出系统包括具有圆柱形部分(72)的至少一个吸力开口(70)，所述圆柱形部分(72)延伸到渐变进密封容积的喇叭口形部分(76)。
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