[发明专利]纳米结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200880126070.4 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101933140A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | S-Y·王;M·R·T·谭 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/06;B82B1/00;B82B3/00;C23C16/00;G05F1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 纳米结构(10，10’，10”，10”’)包括高度导电的微晶层(18)、双极纳米线(16)以及另一个层(18，30)。高度导电的微晶层(18)包括微晶材料和金属。使双极纳米线(16)的一个末端附接到高度导电的微晶层(18)，并使其另一个末端附接到其它的层(18，30)。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米结构(10，10’，10”，10”’)，包括：高度导电的微晶层(18)，所述高度导电的微晶层(18)包括微晶材料和金属；双极纳米线(16)，所述双极纳米线(16)具有一个附接到所述高度导电的微晶层(18)的末端；以及其它的层(18，30)，所述其它的层(18，30)附接到所述双极纳米线(16)的另一个末端。
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