[发明专利]谐振体晶体管和振荡器有效
| 申请号： | 200880126205.7 | 申请日： | 2008-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101939906A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | D·温斯坦;S·A·巴韦 | 申请（专利权）人： | 康奈尔大学 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种谐振体，具有反转栅极、积累栅极和中心区域。所述谐振体还具有耦合至所述中心区域的源极触点，以及耦合至所述中心区域的漏极触点。所述谐振体还具有耦合在所述反转栅极与所述中心区域之间的第一电介质层。所述谐振体还具有耦合在所述积累栅极与所述中心区域之间的第二电介质层。还公开了一种谐振体晶体管。所述谐振体晶体管具有反转栅极电极、积累栅极电极、源极电极、漏极电极以及多个锚梁。所述谐振体晶体管还具有谐振体，所述谐振体通过所述多个锚梁耦合至且悬挂于所述反转栅极电极、所述积累栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极。还公开了一种谐振体振荡器。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 晶体管 振荡器 | ||
【主权项】：
一种谐振体，包括：反转栅极；积累栅极；中心区域；耦合至所述中心区域的源极触点；耦合至所述中心区域的漏极触点；耦合在所述反转栅极与所述中心区域之间的第一电介质层；以及耦合在所述积累栅极与所述中心区域之间的第二电介质层。
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