[发明专利]离子阱的端盖电压控制无效
申请号: | 200880126515.9 | 申请日: | 2008-12-10 |
公开(公告)号: | CN101971290A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 戴维·拉弗蒂 | 申请(专利权)人: | 航天技术公司 |
主分类号: | H01J49/00 | 分类号: | H01J49/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于质谱仪的离子阱具有导电的中央电极,该中央电极具有从第一开放端延伸到第二开放端的孔径。导电的第一电极端盖布置为与第一开放端相邻,从而在第一端盖和中央电极之间形成第一固有电容。导电的第二电极端盖布置为与第二开放端相邻,从而在第二端盖和中央电极之间形成第二固有电容。第一电路将第二端盖耦接到参考电势。产生AC俘获信号的信号源被耦接到中央电极。响应于通过第一固有电容和第一电路对俘获信号的分压,将激励信号加压于第二端盖上。 | ||
搜索关键词: | 离子 电压 控制 | ||
【主权项】:
一种离子阱,包括:导电的环形中央电极,具有从第一开放端延伸到第二开放端的第一孔径;信号源,在第一和第二端子之间产生具有至少一个交流(AC)分量的俘获信号,其中第一端子耦接到中央电极,而第二端子耦接到参考电压电势;导电的第一电极端盖,布置为与中央电极的第一开放端相邻并且耦接到参考电压电势,其中在第一电极端盖的表面与中央电极的第一开放端的表面之间形成第一固有电容;以及导电的第二电极端盖,布置为与中央电极的第二开放端相邻并且利用第一电路耦接到参考电压电势,其中在第二电极端盖的表面与中央电极的第二开放端的表面之间形成第二固有电容,其中响应于通过第二固有电容和第一电路的阻抗对俘获信号的分压,将俘获信号的一部分加压于第二电极端盖上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于航天技术公司,未经航天技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880126515.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双组份高导热室温固化有机硅灌封胶
- 下一篇:纵向位置信息的纠错编码