[发明专利]反向导通半导体器件及用于制造这样的反向导通半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200880127360.0 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101952968A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | M·拉希摩;W·贾尼希;E·法贾诺 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 对于用于制造具有形成为栅电极的第七层(7、7’)和在发射极侧(101)上的第一电接触(8)和在集电极侧(102)(其在发射极侧(101)的相对侧)上的第二电接触(9)的反向导通半导体器件(也称为反向导通绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT))(10)的方法，提供具有第一侧(111)和在第一侧(111)相对侧的第二侧(112)的第一导电类型的晶圆(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 向导 半导体器件 用于 制造 这样 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造反向导通半导体器件(10)的方法，其包括在第一导电类型的共用晶圆(11)上的续流二极管和绝缘栅双极晶体管，其中所述绝缘栅双极晶体管包括发射极侧(101)和集电极侧(102)，其中提供具有第一侧(111)和在所述第一侧(111)相对侧的第二侧(112)的所述晶圆(11)，所述第一侧(111)形成所述发射极侧(101)而所述第二侧(112)形成所述绝缘栅双极晶体管的所述集电极侧(102)，以及对于在所述集电极侧(102)上所述反向导通半导体器件(10)的制造，进行以下步骤：‑在至少一与所述第三层(3)不同导电类型的第二层(2)在所述第二侧(112)上形成之前，至少一第一或第二导电类型的第三层(3)或具有与所述第三层(3)相同导电类型并且是连续层的第一层(32)在所述第二侧(112)上形成，所述至少一第二和第三层(2、3)在完成的反向导通半导体器件(10)中交替设置，由此具有至少一个开口的荫罩掩模(12)应用在所述第二侧(112)上，所述荫罩掩模(12)不贴附到所述晶圆(11)，并且然后所述至少一第三层(3)通过所述荫罩掩模(12)的所述至少一个开口形成或所述第一层(32)在所述第二侧(112)上形成，然后具有至少一个开口的荫罩掩模(12)应用在所述第一层(32)上并且作为所述完成的反向导通半导体器件(10)中的第二电接触(9)的一部分的至少一个导电岛(91)通过所述荫罩掩模(12)的所述至少一个开口形成，所述至少一个导电岛(91)用作所述至少一第二层(2)的形成的掩模，并且由导电岛(91)覆盖的第一层(32)的那些部分形成所述至少一第三层(3)，以及‑然后在所述第二侧(112)上形成第二电接触(9)，其与所述至少一第二和第三层(2、3)直接电接触。
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