[发明专利]构造提供相对于晶圆的均匀流体流的临近头的方法

摘要

构造用于在通过弯液面处理晶圆表面时调节相对于临近头的流体流的邻近头的方法。该方法包括将该头构造成单件，同时保持头的刚性，即使在该头被加长以清洁更大直径的晶圆时。该单件头构造将主流体流与相对于该晶圆表面的独立流体流分开，其中该分开是通过高阻滞流体流构造实现的，产生跨越用于流体供应或返回的单元中的该头的增长的长度的基本上均匀的流体流。

主权项

一种构造临近头以通过该头中的多个流体输送流路径并向半导体晶圆的表面上输送流体的方法，该方法包括：(a)提供具有第一吻合表面的第一块；(b)提供具有第二吻合表面的第二块；(c)在该第一块中执行第一系列操作，该第一系列操作包括：(i)形成主流体流路径；(ii)形成连接到该主流体流路径的多个连接件流体流路径；(iii)在该第一块中形成高阻滞流体流路径，该高阻滞流体流路径具有十字形横截面，该横截面包括稳压室和开放于该稳压室的阻滞孔；(d)在该第二块中执行第二系列操作，该第二系列操作包括：(i)形成通过该第二吻合表面进入该第二块的该稳压室的一部分；以及(ii)构造多个流体输送孔，该多个流体输送孔在该第二块中并与该稳压室的该部分相交；(e)熔接该第一和第二吻合表面以使该第一和第二块成为整体，其中该稳压室开放于该多个流体输送孔和该高阻滞流体流路径的该十字形横截面两者并位于该两者之间，该熔接限定用于向该半导体晶圆的该表面输送流体的该临近头。