[发明专利]等离子体系统有效
| 申请号： | 200880127994.6 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101971288A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 里卡多·恩里克·比安纳 | 申请（专利权）人： | 艾利特斯股份公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 乌拉圭蒙*** | 国省代码： | 乌拉圭;UY |
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| 摘要： | 用于等离子体增强化学沉积(PECVD)的系统和技术，其中，可能处理管状基板的选择表面，以沉积期望物质的薄膜，其中，在等离子体系统中使用的电极之一适应基板或工件，不需要庞大的等离子体反应器。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 系统 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体增强化学气相沉积的等离子体系统，所述系统包括：真空室，至少两个电极，基板，以及待电离的物质，用于沉积在所述基板的至少一个期望表面上，其中，所述基板包括具有两端的管状工件，所述两端中的至少一端是开放端，所述开放端由可去除端帽以由所述工件和所述帽限定所述真空室的方式封闭，并且其中，所述工件限定所述电极中的一个电极，所述电极中的另一个电极延伸穿过所述端帽并进入所述工件中，并且所述基板的至少一个期望表面由所述管状工件的内表面限定。
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