[发明专利]制备牢固的发光二极管的方法有效
| 申请号： | 200880128208.4 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101919074A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王立;江风益 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 中国江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种制造发光二极管(LED)的方法。该方法包括在导电衬底上制造InGaAlN基多层LED结构。该方法进一步包括穿透所述多层LED结构的有源区刻蚀出预定图案的凹槽。所述凹槽分隔出发光区域与非发光区域。另外，该方法包括在所述发光区域和所述非发光区域上沉积电极材料，从而形成电极。此外，该方法包括沉积覆盖所述发光区域和所述非发光区域的钝化层。该方法还包括去除所述电极上的所述钝化层，使被所述电极材料和所述钝化层覆盖的所述非发光区域高于所述发光区域和所述电极，从而使所述发光区域避免与测试设备接触。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 牢固 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制备发光二极管(LED)的方法，该方法包括：在导电衬底上制备InGaAlN基多层LED结构；穿透所述多层LED结构刻蚀出预定图案的凹槽，其中所述凹槽分隔出发光区域与非发光区域；在所述发光区域和所述非发光区域上沉积电极材料，从而形成电极；沉积覆盖所述发光和所述非发光区域的钝化层；以及去除所述电极上的所述钝化层，使被所述电极材料和所述钝化层覆盖的所述非发光区域高于所述发光区域和所述电极，从而使所述发光区域避免与测试设备接触。
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