[发明专利]三维半导体装置﹑其制造方法及利用其保险丝图样的电力切断方法无效
| 申请号： | 200880129345.X | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102124558A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 金玖星 | 申请（专利权）人： | 伊丕渥克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 金利琴 |
| 地址： | 韩国京畿道城南市盆唐区野*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种三维半导体装置。此三维半导体装置包括当中堆栈有多个半导体芯片或封装的一主体，设置以保护主体的外层芯片或封装且设置以传送激光束的一保护基板，以及具有保险丝功能的图样的一保险丝图样部，是构成当至少一所述芯片或封装有缺陷时，利用激光束穿透保护基板来切断缺陷芯片或封装的电力连结。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 装置 制造 方法 利用 保险丝 图样 电力 切断 | ||
【主权项】：
一种三维半导体装置，其特征在于，其包括： 一主体，堆栈多个半导体芯片或封装于其中； 一保护基板，设置以保护所述主体的一外层芯片或封装且设置以传送一激光束；以及 一保险丝图样部，具有一保险丝功能的一图样，是构成当至少一所述芯片或封装有缺陷时，通过所述激光束穿透所述保护基板来切断所述缺陷芯片或封装的一电力连结。
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