[发明专利]具有半导体开关元件的分接开关无效

专利信息
申请号: 200880130033.0 申请日: 2008-08-27
公开(公告)号: CN102077305A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: O·布吕克尔;D·多那尔;H-H·莱克曼-米斯克 申请(专利权)人: 赖茵豪森机械制造公司
主分类号: H01F29/04 分类号: H01F29/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 赵科
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及用于无中断地在可调式变压器的绕组分接头(抽头n,抽头n+1)之间进行转换的分接开关,其中两个绕组分接头中每一个分别经由一个机械开关(DS)和与其串联的由两个相反连接的IGBT(Ip,In)构成的串联电路与共同的负载引线连接。根据本发明,每个IGBT由与其并联的特别参数设置的压敏电阻(Vp,Vn)跨接。
搜索关键词: 具有 半导体 开关 元件
【主权项】:
一种具有半导体开关元件的分接开关,用于无中断地在可调式变压器的绕组分接头之间进行转换,所述分接开关包括两个能与各自的绕组分接头连接的负载支路,所述半导体开关元件是IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp),这两个负载支路中的每一个都经由所设置的由两个相反连接的IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp)构成的串联电路与共同的负载引线电气连接,并且与每个IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp)并联设置一个二极管(dan,dap,dbn,dbp),每个负载支路中的两个二极管(dan,dap或dbn,dbp)相互相反地连接,其特征在于,在每个负载支路中分别有一个机械开关(DSa,DSb)与由IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp)和并联的二极管(dan,dap,dbn,dbp)构成的串联电路串联连接,与由IGBT(Ian,Iap;Ibn,Ibp)和二极管(dan,dap,dbn,dbp)构成的每个并联电路分别并联连接一个压敏电阻(Van,Vap;Vbn,Vbp),并且所述压敏电阻(Van,Vap;Vbn,Vbp或Va,Vb)被参数设置为使得其压敏电压小于各自并联的IGBT的最大阻断电压,并且大于级电压的最大瞬时值。
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