[发明专利]氮游离基产生器、氮化处理装置、氮游离基的产生方法、以及氮化处理方法

摘要

本氮游离基产生器(100)包括：多晶硅层(103)，该多晶硅层(103)包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)；硅基板电极(102)，该硅基板电极(102)形成于多晶硅层(103)的另一个主面(103n)上；表面电极(105)，该表面电极(105)形成于纳米硅层(104)的一个主面(104m)上；第一腔室(101)，该第一腔室(101)对上述这些元器件进行容纳；第一电源(109)，该第一电源(109)对表面电极(105)施加正的电压V1；气体流入口(107)，该气体流入口(107)使氮气流入第一腔室(101)内；氮游离基产生空间(140)，该氮游离基产生空间(140)使施加上述正电压V1时从纳米硅层(104)的一个主面(104m)所发射的电子与氮气相接触而产生氮游离基；以及游离基流出口(108)，该游离基流出口(108)使氮游离基从第一腔室(101)流出。据此，提供一种能产生氮游离基而不产生等离子体、并能因结构简单而小型化的氮游离基产生器。

主权项

一种氮游离基产生器，其特征在于，包括：多晶硅层(103)，该多晶硅层(103)包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)；硅基板电极(102)，该硅基板电极(102)形成于所述多晶硅层(103)的另一个主面(103n)上；表面电极(105)，该表面电极(105)形成于所述纳米硅层(104)的所述一个主面(104m)上；第一腔室(101)，该第一腔室(101)用于容纳所述多晶硅层(103)、所述硅基板电极(102)、以及所述表面电极(105)；第一电源(109)，该第一电源(109)对所述表面电极(105)施加相对于所述硅基板电极(102)为正的电压；气体流入口(107)，该气体流入口(107)使氮气流入所述第一腔室(101)内；氮游离基产生空间(140)，该氮游离基产生空间(140)使施加所述正电压时从所述纳米硅层(104)的所述一个主面(104m)所发射的电子与氮气相接触以产生氮游离基；以及游离基流出口(108)，该游离基流出口(108)使所述氮游离基从所述第一腔室(101)流出。