[发明专利]用于加工薄膜电子器件的系统和方法无效
| 申请号： | 200880130590.2 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102113103A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | V·肯尼拉;G·乌佐尼;B·多特 | 申请（专利权）人： | 联合太阳能奥沃尼克有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜云霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据一个示范性实施例提供了一种用于加工薄膜电子器件的系统。该系统包括腔室和气门。腔室在其中包括存储装置，被设置用于将一部分基板收集在腔室内。气门在腔室的压力区域和第二压力区域之间提供流体连通。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 加工 薄膜 电子器件 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在基板上加工薄膜电子器件的系统，所述系统包括：沉积装置，被设置用于在沉积装置腔室内的一部分基板上沉积材料；与沉积装置腔室流体连通的第一排气装置；第一腔室，在其中包括存储装置，被设置用于将一部分基板收集在第一腔室内；与第一腔室流体连通的第二排气装置；在第一腔室和沉积装置腔室之间提供流体连通的第一气门；并且其中具有存储在第一腔室内的一部分基板的基板延伸穿过第一腔室并伸入沉积装置腔室内和穿过第一气门；并且第一气门、沉积装置腔室的排气装置和第一腔室的排气装置被设置为使沉积装置腔室内的工作压力低于第一腔室内的工作压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
