[发明专利]具有提高的热电优值的SiGe基质纳米复合材料无效
| 申请号： | 200880131123.1 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102149845A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 纳塔利·明戈·比斯克特;小林信彦;马克·普利索尼耶;阿里·沙科里 | 申请（专利权）人： | 法国原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | C23C16/22 | 分类号： | C23C16/22;H01L35/22 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 傅强国 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包含SiGe基质的纳米复合材料，所述基质中有分散的硅化物和/或锗化物纳米夹杂物，所述纳米复合材料具有提高的热电能量转换能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 提高 热电 sige 基质 纳米 复合材料 | ||
【主权项】：
含有SiGe基质的纳米复合材料，所述基质中分散有硅化物和/或锗化物纳米夹杂物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
