[发明专利]用于集成电路的电阻调谐的由电磁辐射引起的硅中的同素异形或形态改变有效
| 申请号： | 200880131681.8 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102203903B | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | F·A·拜奥齐;J·T·卡古;J·M·德卢卡;B·J·杜特;C·马丁 | 申请（专利权）人： | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01C17/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 党建华 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子器件，包含半导体基板和基板上的电介质层。位于基板上的电阻链接包含第一电阻区域和第二电阻区域。第一电阻区域具有第一电阻率和第一形态。第二电阻区域具有第二电阻率和不同的第二形态。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 电阻 调谐 电磁辐射 引起 中的 异形 形态 改变 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：基板；所述基板上的电介质层；和位于所述基板和所述电介质层之间的电阻链接，所述电阻链接包含具有第一电阻区域和第二电阻区域的半导体层，所述第一电阻区域具有第一电阻率和第一形态，并且，所述第二电阻区域具有第二电阻率和不同的第二形态，并且其中，所述第一电阻区域具有第一同素异形状态，并且，所述第二电阻区域具有不同的第二同素异形状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
