[发明专利]磁记录装置无效
申请号: | 200910000112.6 | 申请日: | 2009-01-05 |
公开(公告)号: | CN101483176A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 谷崎弘晃;上野修一;村井泰光;辻高晴 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L43/08;H01L23/535 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种磁记录装置,即便使具有非对称形状的记录层与局部孔这两者留有充分的间隔而形成在带状配线上,也能够抑制磁记录装置的尺寸增加。本发明的磁记录装置(MRAM)具有带状配线LS、局部孔LV、及磁记录元件(TMR元件)101。TMR元件101具有固定层11与记录层13。记录层13的俯视形状相对于记录层13的易磁化轴方向S为非对称,相对于与易磁化轴垂直的对称轴L为对称。靠近记录层13的面积中心的这一侧的、记录层13的轮廓部s1,面向局部孔LV形成侧。 | ||
搜索关键词: | 记录 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种磁记录装置,其特征在于,包括:带状配线;接触孔,其电性连接所述带状配线与位于所述带状配线更下层的部分;以及磁记录元件,其俯视时与所述接触孔的形成位置相离开而配置,且形成在所述带状配线上;且所述磁记录元件具有:固定层,其磁化方向被固定;以及记录层,其形成在所述固定层上,且磁化方向根据外部磁场而变化;所述记录层的俯视形状,相对于所述记录层的易磁化轴方向为非对称,相对于与所述易磁化轴垂直的对称轴为对称;靠近所述记录层的面积中心这一侧的、所述记录层的轮廓部面向所述接触孔侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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