[发明专利]在化学机械抛光中使用组分可调冲洗液冲洗晶片有效

专利信息
申请号: 200910000422.8 申请日: 2009-01-08
公开(公告)号: CN101635251A 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: 詹政勋;何明哲 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/302;H01L21/306
代理公司: 北京市德恒律师事务所 代理人: 马铁良
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明为一种在化学机械抛光中使用组分可调冲洗液冲洗晶片的方法。一种制造晶片上集成电路的设备,包括抛光垫;位于所述抛光垫上方的可移动冲洗臂;以及后抛光清洗器。所述后抛光清洗器包括用于刷动所述晶片的刷子;以及对准所述晶片的喷嘴。所述设备还包括用来混合添加物与去离子水的混合器;以及将所述混合器连接到所述冲洗臂和所述喷嘴至少一个的管道。
搜索关键词: 化学 机械抛光 使用 组分 可调 冲洗 晶片
【主权项】:
1.一种制造晶片上集成电路的方法,包括以下步骤:抛光所述晶片;以及使用包含碳酸的酸性溶液冲洗所述晶片。
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