[发明专利]用于集成电路的封环结构有效
| 申请号： | 200910000930.6 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101593745A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 李东兴;张添昌;钟元鸿 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛 强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于集成电路的封环结构，所述用于集成电路的封环结构包含：封环，沿集成电路的周边排列，其中封环至少包含第一部分和第二部分，以及其中第二部分位于模拟和/或射频电路块的外侧，且第二部分屏蔽模拟和/或射频电路块免受噪声影响；以及深N阱，形成于P型衬底中，且深N阱位于第二部分的底部。利用本发明可以降低衬底噪声耦合，消除对敏感模拟和/或射频电路块的性能的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于集成电路的封环结构，其特征在于，所述用于集成电路的封环结构包含：封环，沿所述集成电路的周边排列，其中所述封环至少包含第一部分和第二部分，以及其中所述第二部分位于模拟和/或射频电路块的外侧，且所述第二部分屏蔽所述模拟和/或射频电路块免受噪声影响；以及深N阱，形成于P型衬底中，且所述深N阱位于所述第二部分的底部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司，未经联发科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910000930.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有扩展的电压范围的功率器件的自保护结构及方法
- 下一篇：含烧结接头的模块
