[发明专利]使用CMP的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910001321.2 | 申请日： | 2005-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101471288A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 井谷直毅 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/762;H01L21/02;H01L27/04;H01L29/78;B24B37/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;陈 晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及使用CMP的半导体器件及其制造方法。其中一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)在半导体衬底上形成布线；(b)在所述步骤(a)之后，通过高密度等离子体化学气相沉积来沉积第一绝缘膜，所述第一绝缘膜掩埋所述布线；(c)在所述步骤(b)之后，通过不同于高密度等离子体化学气相沉积的沉积方法，在所述第一绝缘膜上沉积第二绝缘膜；以及(d)在所述步骤(c)之后，通过使用包含二氧化铈磨粒的研磨剂进行化学机械抛光将所述第二绝缘膜平坦化。因而可解决大尺寸衬底在抛光后出现的膜残留问题，并抑制层间绝缘膜的晶片级厚度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 cmp 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)在半导体衬底上形成布线；(b)在所述步骤(a)之后，通过高密度等离子体化学气相沉积来沉积第一绝缘膜，所述第一绝缘膜掩埋所述布线；(c)在所述步骤(b)之后，通过不同于高密度等离子体化学气相沉积的沉积方法，在所述第一绝缘膜上沉积第二绝缘膜；以及(d)在所述步骤(c)之后，通过使用包含二氧化铈磨粒的研磨剂进行化学机械抛光将所述第二绝缘膜平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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