[发明专利]双波长半导体激光器装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910001675.7 申请日: 2009-01-09
公开(公告)号: CN101505036A 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: 牧田幸治;鹿岛孝之 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;H01S5/343
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备:第1半导体激光器元件,具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层;和第2半导体激光器元件,具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
搜索关键词: 波长 半导体激光器 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种双波长半导体激光器装置,其在第1导电型的单结晶半导体基板上具备各自在光谐振器端面附近具有窗结构的第1半导体激光器元件及第2半导体激光器元件,所述第1半导体激光器元件至少具备在所述半导体基板上依次形成的第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层;所述第2半导体激光器元件至少具备在所述半导体基板上依次形成的第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层;至少构成所述第1量子阱活性层的势垒层、所述第1引导层、和所述第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
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