[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200910002345.X | 申请日： | 2009-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101488362A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 山口公一;川越治 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许 静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具有被施加高电压的电源端子、与电源端子电连接的钳位电路以及与钳位电路电连接，并且通过低电压进行驱动的内部电路，其目的在于减小半导体装置的平面内的钳位电路的占用面积，能够实现半导体装置的小型化。半导体装置(10)具有：钳位电路(13)，其与被施加高电压VDD1的电源端子(11)电连接；以及内部电路(14)，其与钳位电路(13)电连接，通过比高电压VDD1低的基准电压VREF进行驱动，使用NPN型双极晶体管(21)构成钳位电路(13)，并且将NPN型双极晶体管(21)的发射极与电源端子(11)电连接，将NPN型双极晶体管(21)的集电极接地，将NPN型双极晶体管(21)的基极与NPN型双极晶体管(21)的集电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，其具有：被施加高电压的第1电源端子、与所述第1电源端子电连接的钳位电路、以及与所述钳位电路电连接，通过比所述高电压低的电压进行驱动的内部电路，其特征在于，通过双极晶体管构成所述钳位电路，并且将所述双极晶体管的发射极与所述第1电源端子电连接，将所述双极晶体管的集电极接地，将所述双极晶体管的基极与所述集电极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三美电机株式会社，未经三美电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910002345.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包含吡格列酮的口服制剂
- 下一篇：具有水熏蒸的充入空气冷却系统的发动机
