[发明专利]隔离式硅控整流器静电防护元件无效
| 申请号： | 200910002914.0 | 申请日： | 2009-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101777579A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 黄志丰 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种隔离式硅控整流器静电防护元件，包含：一个基体；位于该基体内的具有第一传导型态的第一井区，此井区为浮接；位于该第一井区内的具有第二传导型态的第一高浓度掺杂区；与第一井区邻接、具有第二传导型态的第二井区；位于该第二井区内的具有第二传导型态的第二高浓度掺杂区；以及位于该第二井区内的具有第一传导型态的第三高浓度掺杂区，其中该第一高浓度掺杂区供与一连接垫电连接，且该第一井区内并不设置与该连接垫连接的具有第一传导型态的高浓度掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 式硅控 整流器 静电 防护 元件 | ||
【主权项】：
一种隔离式硅控整流器静电防护元件，其特征在于，包含：一个基体；位于该基体内的具有第一传导型态的第一井区，此井区为浮接；位于该第一井区内的具有第二传导型态的第一高浓度掺杂区；与第一井区邻接、具有第二传导型态的第二井区；位于该第二井区内的具有第二传导型态的第二高浓度掺杂区；以及位于该第二井区内的具有第一传导型态的第三高浓度掺杂区，其中该第一高浓度掺杂区供与一连接垫电连接，且该第一井区内并不设置与该连接垫连接的具有第一传导型态的高浓度掺杂区。
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