[发明专利]检查方法无效
申请号: | 200910003001.0 | 申请日: | 2009-01-08 |
公开(公告)号: | CN101494182A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 佐野聪;栗原大树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种检查方法,该方法即使在电极垫精细化的情况下,也能够通过利用形成在电极垫上的针迹使被检查体的电极垫与探针高精度地反复接触,进行可靠性高的检查。本发明的检查方法构成为,在检查装置(10)中,在控制装置(15)的控制下,使用形成在半导体晶片(W)的电极垫(P)上的旧针迹(F),求取在本次高温检查中多个探针(12A)能够接触的区域(S),探针(12A)在能够接触的区域(S)内且没有针迹的空白区域中进行接触。 | ||
搜索关键词: | 检查 方法 | ||
【主权项】:
1、一种检查方法,其为包括一种工序的检查方法,该工序为使载置在载置台上的被检查体的多个电极垫与配置在所述载置台的上方的探针卡的多个探针电接触,进行所述被检查体的电特性的检查,利用形成在所述多个电极垫各自上的所述多个探针的针迹,为了所述检查而进行准备,对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序,该检查方法的特征在于:为了所述检查而进行准备,对所述多个电极垫与多个探针的接触位置进行校正的工序包括:为了检测出形成于所述多个电极垫各自上的所述针迹而对所述多个电极垫进行摄像并获得第一图像的第1工序;使用所述第一图像,求取所述多个电极垫各自的中心与这些电极垫中的所述各针迹各自的重心的位置偏移量的第2工序;使用所述多个针迹的位置和各自的位置偏移量,进行使所述检查中使用的多个探针相对于所述多个电极的接触位置与所述多个电极垫的中心分别一致的校正的第3工序;在所述第3工序的校正之后,使所述检查中使用的多个探针与所述多个电极垫接触,在所述多个电极垫上分别形成新的针迹的第4工序;对分别形成有所述新的针迹的多个电极垫进行摄像并获得第二图像的第5工序;和根据所述多个电极垫的大小和各个电极垫中的新的针迹的重心,在所述各电极垫内求取所述多个探针各自能够接触的区域的第6工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造