[发明专利]等离子体处理装置

摘要

本发明提供可提高半导体器件的成品率的基板处理装置。作为基板处理装置的等离子体处理装置(10)具有静电吸附载置的晶片(W)的载置台(35)。等离子体处理装置(10)与测定晶片(W)的温度的温度测定装置(200)、和直接或间接地进行晶片(W)的温度调节使根据预先设定的参数与目标温度实质上相等的控制装置(400)连接。控制装置(400)根据所测定的温度，自动地控制晶片(W)的温度。

主权项

1、一种等离子体处理装置，其具有对被实施等离子体处理的被处理基板进行静电吸附的载置台，其特征在于，具有：在所述被处理基板被吸附保持在所述载置台上的状态下，测定所述被处理基板的至少中央部和周边边缘部的温度，并将作为表示温度变化的温度分布图的参考数据存储为目标温度的单元；基于预先设定的参数，对被保持在所述载置台上的所述被处理基板进行温度调节，使得所述被处理基板的温度与所述目标温度相等的温度调节单元；测定所述被处理基板的至少中央部和周边边缘部的温度，获得测定温度的分布图的单元；对所述被处理基板的测定温度的分布图与所述参考数据进行比较的单元；当所述测定温度的分布图与所述参考数据不同时，执行用于进一步进行温度调节的自动校正处理，以使所述被处理基板的温度稳定在所述目标温度的单元；和反复进行所述自动校正处理，直到所述被处理基板的温度稳定的单元。