[发明专利]三维阵列半导体存储设备及其修复方法无效
| 申请号： | 200910003208.8 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101499320A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 金杜坤;朴起台 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C17/14 | 分类号： | G11C17/14;G11C29/44;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维阵列半导体存储设备及其修复方法。一种非易失性存储设备包括三维(3D)单元阵列、列选择电路和熔丝块。该3D单元阵列包括位于相应堆叠衬底层中的多个单元阵列，所述单元阵列共享位线。列选择电路选择包括在3D单元阵列中的存储单位。熔丝块控制列选择电路利用位于3D单元阵列中的多个冗余位线之一来修复有缺陷的列。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 阵列 半导体 存储 设备 及其 修复 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性存储设备，包括：三维3D单元阵列，包括位于相应多个堆叠衬底层中的多个单元阵列，所述单元阵列共享位线；列选择电路，选择包括在该3D单元阵列中的存储单位；以及熔丝块，控制该列选择电路利用位于3D单元阵列中的多个冗余位线中的一个来修复多个有缺陷的列。
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