[发明专利]金属栅极电极及其制作方法无效
| 申请号： | 200910003572.4 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101488520A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | V·S·巴斯克尔;H·迪利吉安尼;R·杰米;V·K·帕鲁丘里;L·T·罗曼基乌 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/288;H01L21/28;C25D3/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于互补金属氧化物半导体(“CMOS”)应用的稳定金属栅极电极和制作稳定的金属栅极电极的方法。具体而言，通过合金化来稳定金属栅极电极，其中合金包括从Re、Ru、Pt、Rh、Ni、Al及其组合中选择的金属和从W、V、Ti、Ta及其组合中选择的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 电极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种金属栅极电极，包括从Re、Ru、Pt、Rh及其组合中选择的金属和从Ni、Y、Ti、Ta、W、C、Al及其组合中选择的合金化合物。
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