[发明专利]一种制作堆叠薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910003584.7 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101783291A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 黄骏松;施秉嘉;杨乔麟;黄启政 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/8239;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是揭露一种制作堆叠薄膜的方法。首先提供半导体基底，然后形成堆叠薄膜于半导体基底上，且堆叠薄膜包含多个介电层。接着覆盖硬掩模于堆叠薄膜上，并去除部分硬掩模及堆叠薄膜最底层介电层以上的所有介电层中未被硬掩模盖住的部分，随后再部分去除堆叠薄膜中最底层的介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 堆叠 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制作堆叠薄膜的方法，包含：提供半导体基底；形成堆叠薄膜于该半导体基底上，该堆叠薄膜包含多个介电层；覆盖硬掩模于该堆叠薄膜上；部分去除该硬掩模及该堆叠薄膜最底层介电层以上的所有该介电层中未被硬掩模盖住的部分；以及部分去除该堆叠薄膜中最底层的该介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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